【3アマ無線工学-基礎知識】スマホで3アマ過去問 試験問題

※図の問題は手作りの為、実際の試験問題と異なる場合がございます。ご了承下さい。

3アマ無線工学-基礎知識

問1：（　）に入れるべき字句を答えよ。

鉄片は磁石に近づけると、磁石のＮ極に近い端が（A）に、遠い端が（B）になり、磁石は鉄片を（C）にする。このような現象を磁気誘導と言う。

ドコモ　home 5G

 　　   A　　B　　C

1. N極　S極　吸引
2. N極　S極　反発
3. S極　N極　吸引
4. S極　N極　反発

答え：3

問2：（　）に入れるべき字句を答えよ。

プラスに帯電している物体Xに、帯電していない導体Yを近づけると、導体Yにおいて物体Xに近い側に（A）の電荷が生じ、物体Xに遠い側は（B）の電荷が生じる。この現象を（C）と言う。

 　　　  A　　　　B　　　　C

1. マイナス　プラス　静電誘導
2. マイナス　プラス　電磁誘導
3. プラス　マイナス　静電誘導
4. プラス　マイナス　電磁誘導

問1と考え方は同じです。

答え：1

問3：2Ａの電流を流すと20Ｗの電力を消費する抵抗器があります。これに50Ｖの電圧を加えたら何ワットの電力を消費するか答えよ。

1. 250W
2. 50W
3. 500W
4. 150W

解説：

V（E）：電圧　I：電流　R：抵抗

上記の求めたい値のマークを隠す。

ヨコは掛け算、タテは割り算と覚えて下さい。

• 電圧を求めたい場合はVを隠して、I×R
• 電流を求めたい場合Iを隠して、V÷R
• 抵抗を求めたい場合Rを隠して、V÷I

上記のマークで覚える式のテクニックを使います。

電力：P　電圧：E　電流：I　抵抗：R

P=E×I　電力の求める式　・・・（a）

P＝I²×R（a）の式から電圧E（V）を隠す。

数値を当てはめる。

20＝2²×R

20＝4×R

R＝5　　　・・・①の式に当てはめる。

P＝E²÷R（a）の式から電流Iを隠す。・・・①

P＝50²÷5

P=2500÷5

P＝500

500Wの電力を消費する。

答え：3

問4：真空中を直進する電子に対して、その進行方向に直角で強力な磁界が加えられると電子はどのようになるか答えよ。

1. 電子の回転速度が変わる
2. 電子の進行速度が変わる
3. 電子の数が増加する
4. 電子の進行方向が変わる

答え：4

問5：真空中を直進する電子に対して、その進行方向に平行に強力な磁界が加えられると電子はどのようになるか答えよ。

1. 電子の進行速度が変わる
2. 電子の回転速度が変わる
3. 電子の数が増加する
4. 電子の進行方向が変わる

答え：1

問6：コイルのリアクタンスの値はどれか答えよ。

1. 3.14kΩ
2. 8.92kΩ
3. 3.58kΩ
4. 6.32kΩ

解説：

XL＝2πfL　・・・（a）

• XL：コイルのリアクタンス（Ω）
• π：3.14　
• f：交流電流の周波数（Hz）
• L：インダクタンス（H）　

XL＝2πfL（a）の式に当てはめる。

XL＝2×3.14×50×10　

XL＝3.14×1000　1k＝1000なので

XL=3.14kΩ 

答え：1

問7：2本の軟鉄棒を互いに逆向きとなるようにコイルを巻き、2本が直線状になるように置いて直流電流を流してスイッチを押すとそれぞれどのようになるのか答えよ。

1. 特に変化しない
2. 互いに引き付けあう
3. 互いに反発する
4. 引き付け合ったり離れたりする

逆向きのコイルは反発する。

答え：3

問8：直列共振回路において、コイルのインダクタンスを一定にして、コンデンサの静電容量を1/4にすると、共振周波数は元の周波数の何倍になるのか答えよ。　

1. 2倍
2. 1/2倍
3. 1/4倍
4. 4倍

解説：

1/2πfC＝2πfL

(2πf)²＝1/LC　

f²＝1/(2π)²LC

f＝1/2π√LC　　・・・（b）

• π：3.14　
• f：交流電流の周波数（Hz）
• C：静電容量（F）　
• L：インダクタンス（H）

f＝1/2π√LC（b）の式から

F（共振周波数）とすると、

F＝1/2π√LC/4

＝1/2π√LC×1/2

＝2/2π√LC＝2×1/2π√LC＝2f

つまり2倍である。

答え：1

問9：図に示す回路において、コンデンサのリアクタンスは、およそいくらになるか答えよ。 

1. 360Ω
2. 36Ω
3. 18Ω
4. 180Ω

解説：

XC=1/2πfC　・・・（1）

XC：コンデンサのリアクタンス（Ω）

π：3.14　

f：交流電流の周波数（Hz）

C：静電容量（F）　

μ（マイクロ）は10⁻⁶

XC=1/2πfC（1）の式から、

XC＝1/2×3.14×60×150×10⁻⁶

XC=1/56.52×10⁻³

XC＝0.01769×10³

XC≒0.01769×10³

XC≒0.018×10³

XC≒18 

答え：3

指数計算

10⁰＝1　
2×10⁰＝2
10³×10⁻⁶＝10⁻³ 　・・・・10³⁺⁽⁻⁶⁾
10³÷10⁻⁶＝10⁹　　・・・・10³⁻⁽⁻⁶⁾

問10：図の回路において、静電容量8μFのコンデンサに蓄えられている電荷が2×10⁻⁵Ｃの時、静電容量2μFのコンデンサに蓄えられる電荷の値として正しいものはどれか答えよ。 

1. 8×10⁻⁵C
2. 5×10⁻⁶C
3. 7×10⁻⁵C
4. 6×10⁻⁶C

解説：

Q=VC　　・・・（2）

Q：電荷（C）

V：電圧（V）

C：静電容量（F）

μ（マイクロ）は10⁻⁶ 

電荷が2×10⁻⁵Ｃと静電容量8μFの時

Q=VC （2）の式から、

V=Q/C

V＝2×10⁻⁵/8×10⁻⁶

V＝2.5　 

静電容量2μFのコンデンサに蓄えられる時の電荷の値は

Q=VC

Q=2.5×2×10⁻⁶

Q=5×10⁻⁶

答え：2

問11：端子ab間の電圧はいくらか。 

1. 40ｖ
2. 20ｖ
3. 38ｖ
4. 52ｖ

解説：

オームの法則を使う。　

• E＝I×R　
• I＝E÷R　
• R＝E÷I

電圧：E　電流：I　抵抗：R

20Ωと30Ωの回路の合成抵抗は

1/R＝1/20+1/30＝5/60

R＝12Ω

48Ωと12Ωの回路の合成抵抗は

48+12＝60Ω 

回路全体に流れる電流を求める

I＝E÷R　

I＝100÷60≒1.66A

回路に流れる電流は1.66A　ab間の合成抵抗は12Ω　

E＝I×R

E＝1.66×12≒20v

答え：2

問12：図に示す並列共振回路において、インピーダンスをZ、電流をi、共振回路内の電流をi₀としたとき、共振時にこれらの値はどうなるか答えよ。

　　  Z　　　i　　　i₀

1. 最大　最小　最大
2. 最小　最小　最大
3. 最小　最大　最大
4. 最大　最小　最小

答え：1

問：13：図に示す記号で表される半導体素子の名称はどれか答えよ。

1. トンネルダイオード
2. ホトダイオード
3. バラクタダイオード
4. 発光ダイオード

答え：4

問14：図に示す記号で表される半導体素子の名称はどれか答えよ。

1. バラクタダイオード
2. ツェナーダイオード
3. ホトダイオード
4. トンネルダイオード

答え：1

問15：電界効果トランジスタを一般の接合型トランジスタと比べた場合で正しいものはどれか答えよ。

1. 高周波特性が劣る。
2. 電圧制御のトランジスタである。
3. 内部雑音は大きい。
4. 入力インピーダンスが低い。

電流制御と間違えないように。

答え：2

問16：図に示す電界効果トランジスタ（FET）の電極ａの名称はどれか答えよ。

1. ソース
2. ドレイン
3. ゲート
4. コレクタ

答え：2

問17：図に示す電界効果トランジスタ（FET）の電極bの名称はどれか答えよ。

1. ソース
2. ドレイン
3. ゲート
4. コレクタ

答え：1

問18：図に示す電界効果トランジスタ（FET）の電極cの名称はどれか答えよ。

1. ソース
2. ドレイン
3. ゲート
4. コレクタ

答え：3

問19：（　）に当てはまる字句の組合せで、正しいものはどれか答えよ。
シリコン接合ダイオードに加える（A）を変えると、PN間の（B）が変化する。このような性質のダイオードを（C）と言う。

　　　  Ａ　　　　　Ｂ　　　　　Ｃ

1. 逆方向電圧　静電容量　ツェナダイオード
2. 順方向電圧　抵　　抗　ツェナダイオード
3. 順方向電圧　抵　　抗　バラクタダイオード
4. 逆方向電圧　静電容量　バラクタダイオード

答え：4

問20：図に示す電界効果トランジスタ（FET）の名称はどれか答えよ。

1. エンハンスメント形ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ
2. デプレッション形ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
3. エンハンスメント形ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
4. デプレッション形ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ

答え：3

問21：A、B、C内に入るべき字句の組合せで、正しいもののはどれか答えよ。
加える電圧により、静電容量が変化することを利用するのは（A）である。逆方向電圧を加えると、ある電圧で電流が急激に流れ、電圧がほぼ一定になることを利用するものは（B）ダイオードであり、図記号は（C）で表される。

                      A                         B                  C

1. バラクタダイオード　ツェナー　　図２
2. バリスタ　　　　　　トンネル　　図１
3. バリスタ　　　　　　ツェナー　　図２
4. バラクタダイオード　トンネル　　図１

答え：1 

問22：（　）に当てはま字句を答えよ。 

鉄やニッケルのように強く磁化される物質を（A）と言う。加えた磁界と反対の方向にわずかに磁化される銀や銅を（B）と言う。

　　　  A　　　　　　　　B

1. 非磁性体　　　　常磁性体
2. 非磁性体　　　　反磁性体
3. 強磁性体　　　　常磁性体
4. 強磁性体　　　　反磁性体

答え：4

問23：コイルの電気的性質で正しいものはどれか答えよ。

1. 電流が変化すると逆起電力が起こらない
2. 周波数が高いほど交流は流れる
3. 電流を流すと磁界が起こらない
4. 交流電流の位相は加えた電圧の位相より遅れる

解説：

コイルの電気的性質

• 逆起電力が起こる。
• 周波数が高いほど交流は流れにくい。
• 磁界が起こる。
• 交流電流の位相は加えた電圧の位相より遅れる。

答え：4

問24：図の半導体素子に付いて正しいのを答えよ。

1. 光のエネルギーを電気エネルギーに変換する
2. 加えられた電圧の大きさで静電容量が変化する
3. 湿度の変化を電気信号に変換する
4. 電気エネルギーを光のエネルギーに変換する

答え：2

問25：図の半導体素子に付いて正しいのを答えよ。

1. ツェナーダイオード
2. ホトダイオード
3. バラクダダイオード
4. トンネルダイオード

答え：1

問26：ある値以上の逆方向電圧を加えると電流が急激に流れ電圧がほぼ一定になる半導体の名はどれか答えよ。

1. ツェナーダイオード
2. ホトダイオード
3. バラクダダイオード
4. トンネルダイオード

答え：1

問27：図の半導体素子に付いて正しいのを答えよ。

1. 光のエネルギーを電気エネルギーに変換する
2. 加えられた電圧の大きさで静電容量が変化する
3. 湿度の変化を電気信号に変換する
4. 電気エネルギーを光のエネルギーに変換する

答え：4

問28：（　）に当てはま字句を答えよ。 

電界効果トランジスタ「FET」と接合形トランジスタの電極名を対比すると、ソースは（a）、ドレインは（b）、ゲートは（c）に相当する。

ドコモ　home 5G

　　　  a　　　　　　b　　　　　c

1. ベース　　　エミッタ　　コレクタ
2. エミッタ　　コレクタ　　ベース
3. ベース　　　コレクタ　　エミッタ
4. エミッタ　　ベース　　　コレクタ

答え：2

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